¿Hasta cuánto memoria ram puedo ampliar?
Tratare de ser lo más escueto y claro posible para intentar ayudaros en la pregunta.-
Tengo un portátil medion modelo md41300, el cual tiene 512mb de memoria ram y procesador procesador Mobile Intel Pentium 4, 3066 MHz y me gustaría ampliarla por lo menos hasta 1 gb, el problema esta en que no se si es posible.-
Aquí les dejo el resumen de los datos de la placa base dicho por el programa Everest. -
Placa base:
Propiedades de la Placa Base:
Identificación de la Placa Base: <DMI>
Nombre de la Placa Base: MEDIONNB WID2010
Propiedades del Bus principal:
Tipo de Bus Intel GTL+
Ancho de bus 64 bits
Reloj real 133 MHz (QDR)
Reloj efectivo 533 MHz
Banda pasante 4266 MB/s
Propiedades de la memoria del Bus:
Tipo de Bus Dual DDR SDRAM
Ancho de bus 128 bits
DRAM:FSB Ratio 5:4
Reloj real 167 MHz (DDR)
Reloj efectivo 333 MHz
Banda pasante 5333 MB/s
Propiedades del chipset del Bus:
Tipo de Bus Intel Hub Interface
Ancho de bus 8 bits
Reloj real 67 MHz (QDR)
Reloj efectivo 267 MHz
Banda pasante 267 MB/s
Aquí os dejo el resumen de una de mis memorias ram:
DIMM1: Samsung M4 70L3223ET0-CCC ]
Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Samsung M4 70L3223ET0-CCC
Número de serie 430222AFh (2938241603)
Fecha de fabricación Semana 1 / 2004
Tamaño del módulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de memoria PC3200 (200 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh
Tiempos de Memoria:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado
Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Samsung
Información sobre el producto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
Tengo un portátil medion modelo md41300, el cual tiene 512mb de memoria ram y procesador procesador Mobile Intel Pentium 4, 3066 MHz y me gustaría ampliarla por lo menos hasta 1 gb, el problema esta en que no se si es posible.-
Aquí les dejo el resumen de los datos de la placa base dicho por el programa Everest. -
Placa base:
Propiedades de la Placa Base:
Identificación de la Placa Base: <DMI>
Nombre de la Placa Base: MEDIONNB WID2010
Propiedades del Bus principal:
Tipo de Bus Intel GTL+
Ancho de bus 64 bits
Reloj real 133 MHz (QDR)
Reloj efectivo 533 MHz
Banda pasante 4266 MB/s
Propiedades de la memoria del Bus:
Tipo de Bus Dual DDR SDRAM
Ancho de bus 128 bits
DRAM:FSB Ratio 5:4
Reloj real 167 MHz (DDR)
Reloj efectivo 333 MHz
Banda pasante 5333 MB/s
Propiedades del chipset del Bus:
Tipo de Bus Intel Hub Interface
Ancho de bus 8 bits
Reloj real 67 MHz (QDR)
Reloj efectivo 267 MHz
Banda pasante 267 MB/s
Aquí os dejo el resumen de una de mis memorias ram:
DIMM1: Samsung M4 70L3223ET0-CCC ]
Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Samsung M4 70L3223ET0-CCC
Número de serie 430222AFh (2938241603)
Fecha de fabricación Semana 1 / 2004
Tamaño del módulo 256 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria DDR SDRAM
Velocidad de memoria PC3200 (200 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo SSTL 2.5
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh
Tiempos de Memoria:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge No soportado
Precharge All No soportado
Write1/Read Burst No soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input Soportado
Redundant Row Address No soportado
Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Samsung
Información sobre el producto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
Respuesta de sepher
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