Sensibilidad de Semiconductores a estática
Sé que hay ciertos semiconductores sensibles a la electrstática y por ello no se pueden tocar sus pines directamente con los dedos... Me podría explicar esto mejor
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Respuesta de Botijo Antiguo
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Los semiconductores que se pueden destruir por el efecto de la carga estática, son los basados en el efecto de campo y tecnología MOS (Metal-Oxido).
En estos semiconductores el control del circuito de salida (conducción entre surtidor y drenador) es controlado por el campo eléctrico generado por la presencia de tensión en el circuito de entrada (entre puerta y surtidor), sin que haya entre ellos contacto eléctrico.
Esto significa que el control se efectúa a través de una capacidad que separa la puerta del canal de conducción surtidor-drenador. El dieléctrico de este condensador es una delgada capa de Oxido de Silicio, que como todos los dielétricos puede soportar determinada tensión máxima, que si se supera el condensador se cortocircuita.
El circuito de la puerta es por lo tanto muy frágil y se puede cortocircuitar con una tensión fácilmente obtenible con el contacto del mismo cuerpo humano electrizado por carga estática. O la de cualquier otro cuerpo capaz de cargarse, como puedan ser los plásticos.
Los más conocidos semiconductores de esta clase son los transistores de potencia conocidos por la letras IRF y los circuitos integrados lógicos de la serie 4000.
El riesgo de destucción de estos elementos se puede paliar mediante su embalaje en plásticos un poco conductores, de forma que no se electricen y su manipulación por personal y sobre mobiliario metálico, ambos libres de carga estática. Esto se consigue conectando a tierra el mobiliario metálico y a las personas mediante unos brazaletes textiles condutores, conectados a tierra mediante un cable.
A estas últimas se les aconseja no usar ropas ni zapatos de base sintética, se eliminan los suelos de goma o plástico y se procura que la humedad relativa de los locales no sea más alta del 60%, lo que evita la carga por rozamiento con el aire.
Durante una de mis etapas profesionales fui responsable de calidad de transistores MOS-FET y visité a muchos de nuestros clientes (especialmente aquellos que rechazaban algunas piezas por defectuosas) con la copia de un vídeo, que explicaba muy bien como debían ser manipulados y muestras de brazaletes antiéstáticos. Evidentemente nuestros productos iban empacados adecuadamente en carriles antiestáticos.
En estos semiconductores el control del circuito de salida (conducción entre surtidor y drenador) es controlado por el campo eléctrico generado por la presencia de tensión en el circuito de entrada (entre puerta y surtidor), sin que haya entre ellos contacto eléctrico.
Esto significa que el control se efectúa a través de una capacidad que separa la puerta del canal de conducción surtidor-drenador. El dieléctrico de este condensador es una delgada capa de Oxido de Silicio, que como todos los dielétricos puede soportar determinada tensión máxima, que si se supera el condensador se cortocircuita.
El circuito de la puerta es por lo tanto muy frágil y se puede cortocircuitar con una tensión fácilmente obtenible con el contacto del mismo cuerpo humano electrizado por carga estática. O la de cualquier otro cuerpo capaz de cargarse, como puedan ser los plásticos.
Los más conocidos semiconductores de esta clase son los transistores de potencia conocidos por la letras IRF y los circuitos integrados lógicos de la serie 4000.
El riesgo de destucción de estos elementos se puede paliar mediante su embalaje en plásticos un poco conductores, de forma que no se electricen y su manipulación por personal y sobre mobiliario metálico, ambos libres de carga estática. Esto se consigue conectando a tierra el mobiliario metálico y a las personas mediante unos brazaletes textiles condutores, conectados a tierra mediante un cable.
A estas últimas se les aconseja no usar ropas ni zapatos de base sintética, se eliminan los suelos de goma o plástico y se procura que la humedad relativa de los locales no sea más alta del 60%, lo que evita la carga por rozamiento con el aire.
Durante una de mis etapas profesionales fui responsable de calidad de transistores MOS-FET y visité a muchos de nuestros clientes (especialmente aquellos que rechazaban algunas piezas por defectuosas) con la copia de un vídeo, que explicaba muy bien como debían ser manipulados y muestras de brazaletes antiéstáticos. Evidentemente nuestros productos iban empacados adecuadamente en carriles antiestáticos.
