Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa instrumentos electrónicos. Halle una solución

Buenas Noches me podrían colaborar con este ejercicio.

a). Calcular la resistencia del drenaje RD.

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.

c.) ¿Cuál es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe ser alto?

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Si se trabaja a una IDSS de 16mA, para que la tensión la tensión VGS(off) debe superar ligeramente los -8V, la resistencia RS debe superar ligeramente 8/0,016 = 500 Ohmios,

Con la caída de tensión de 8V en la tensión RS, la tensión VDS mínima será de VCC - 8 = 12V, con lo que la tensión VDS en reposo (sin señal) deberá situado en el centro de la excursión posible, es decir la mitad de 12V = 6V, lo que significa que la resistencia RD será de 6/16 = 375 Ohmios.

La resistencia RG solo debe ser capaz de conducir IGSS que las características del 2N3819 especifica de un máximo de 2nA (nanoAmperios) de corriente de fuga, lo que determina un valor alto, y además cuanto más alta sea, menos va a cargar al generador de señal que normalmente tiene una impedancia alta, ya que se suelen utilizar JFET (en lugar de bipolares) precisamente por esto.

Buenas Noches.

Disculpe la molestia, no me quedo muy claro el tipo de polarización.

Gracias y nuevamente disculpe la  molestia.

El cálculo es aproximado y la resistencia RS se debe ajustar (tal como está representado en el esquema) para que la corriente sin señal, alcance el valor de 16 mA, lo que se traducirá, si la RD es del valor calculado (750), en un tensión entre entre masa y drenador de 20 - 6 = 14V.

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