Buscando datos de semiconductores antiguos

Me encuentro dándole forma a un proyecto y deseo aprovechar semiconductores de recuperación, el problema es que si bien no hay dificultad en conocer si es bipolar, FET, NPN, PNP y la distribución de sus conexiones, b, c e... Me gustaría saber algo más, sobre todo su potencia, corriente, límites de tensión, etc. He buscado hasta la saciedad en los libros de equivalencias antiguos que tengo, en libros de Motorola, por internet... Pero no encuentro nada y creo haberlo hecho bien. Agradecería que algún experto me informara, caso de conocerlo, sobre alguno de los tres tipos de semiconductores. Lo que llevan escrito sobre la cápsula es lo siguiente:

a) 466 108 7035

b) RTC 357 7610

c) M 364 W7409, este sin duda es de Motorola, pero de ahí no paso.

Para ver sus respectivas imágenes se puede acceder a un repositorio de imágenes.

a) https://micloud.movistar.es/share/GRyIY3fRwELU7eZV 

b) https://micloud.movistar.es/share/UXGUwQbJntjeW7Uy 

c) https://micloud.movistar.es/share/sslxUh7fNixub8V7 

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Es complicado porque las referencias escritas son muchas veces abreviadas.

En USA los transistores se nombraban empezando por 2N y 3 o 4 cifras, pero en Europa se utilizaba un código de letras y números con diferentes significados, pero se intercambiaban diseños.

Por lo que me parece el transistor M 364, es la versión de Motorola del transistor europeo BD364.

https://www.web-bcs.com/transistor/tc/bd/BD364.html 

Las últimas 4 cifras suelen corresponder al año y la semana de fabricación, así 7409 sería la de la semana 9 del año 1974.

Basándome en lo que se dice en la página, su complementario sería el BD365.

RTC me suena a la compañía francesa Le Radiotecnique que fue del grupo Philips, pero el BD357 europeo es más pequeño y diferente. 7610, sería la semana 10 del año 1976.

Del otro no encuentro nada, pero seguramente fabricado la semana 35 del año 1970.

Al ser tan antiguos no pueden ser más que transistores bipolares y saber si son NPN o PNP es fácil de determinar con un Ohmetro, y otras características se podrán medir

Saludos. 

Mil gracias por la información que me proporcionas, casi seguro que respecto al motorola es lo que dices,  en ese enorme disipador, ese transistor "activaba" a los otros cuatro RTC 357 que estaban en paralelo presumiblemente formaba parte de una fuente de alimentación.

En el  otro disipador todos los 108 están en paralelo. Ese conjunto lo desguace hace muchísimos años, no menos de cuarenta, de un ordenador IBM de tamaño "monstruo", formaban parte de su fuente de alimentación, cuando aún las fuentes conmutadas eran una rareza casi en fase de diseño teórico.

No conocía el  uso del año y la semana en la nomenclatura de la cápsula, ahora me explico muchas cosas extrañas que no entendía, por ejemplo nunca encontraba el 2N7409, 2N7610, etc. me lo has aclarado de golpe.

Gracias otra vez y ojala pueda devolverte tu ayuda en algún momento.

No se equivoque, la fecha nunca sigue a 2N, que será un número que es correlativo a la inclusión al registro JEDEC de USA. La fecha estará después separada y siempre con año y semana. Esto es debido a que las partidas de difusión solían durar unos 5 días.

Saludos:
Abuso de su amabilidad nuevamente con una cuestión al hilo de la del anterior día
sobre aquellos transistores de potencia antiguos, más en concreto con todos los del tipo 466 108 7035.
Por las comprobaciones básicas con el tester se deduce que son de Germanio y de tipo PNP, la lectura en continuidad da lo siguiente:
Entre base en negativo y colector en positivo 100 (¿mV?), polaridades al revés no dan indicación.
Entre base en negativo y emisor en positivo 100 (¿mV?), polaridades al revés no dan indicación.
Entre emisor en negativo y colector en positivo 900(¿mV?).
Entre emisor en positivo y colector en negativo 50(¿mV?)
Sobre el papel no debiera haber conducción alguna en estos dos casos últimos, pero recuerdo que con los semiconductores de Germanio por su tendencia a las fugas las cosas eran diferentes a lo que sucedía con los de Silicio y las medidas son similares en todos los transistores que tengo de ese tipo, que no son pocos, y lo que más me extraña es la gran diferencia 50, 900...
¿Hay alguna razón teórica para esa asimetría o es que realmente todos están mal?, la fuente donde estaban funcionaba cuando la desguace.
Por experiencia sé que algunas de las medidas básicas con un sencillo tester para saber el estado de un transistor de Silicio son exactas con los de baja frecuencia (BCxxx), pero no con los de Radio Frecuencia (BFxxx), en otras palabras, si es de Baja Frecuencia y el tester me dice que está mal está mal, pero en uno de Radio Frecuencia no necesariamente.
¿Sucederá lo mismo con los de Germanio de Potencia?. No he encontrado nada en una búsqueda en INET, de ahí que se lo planteo por su gran experiencia.
Gracias por adelantado.

Si, son mV si utiliza el tester en la posición DIODO, que introduce una corriente de 1mA en la unión semiconductora.

Hace tanto tiempo desde los transistores de Germanio que no me acuerdo, aún siendo "Antiguo", pero he probado con uno tipo ASZ17 que dice además 6733 y que tengo por bueno, y me da, entre base y emisor y entre base y colector alrededor de 120 mV, y nada en el otro sentido.

Entre emisor en negativo y colector en positivo 1640 mV.

Entre emisor en positivo y colector en negativo 65 mV.

No entiendo lo que le sucede con transistores BF supuestamente rotos.

No sé que es el INET.

Mil gracias por tomarse la molestia de hacer esa prueba que en alguna manera coincide y sobre todo, de nuevo, destaca esa gran diferencia 1640 mV y 65 mV .

Sobre lo que escribí de los BF, es que en alguna manera pasaba éso mismo, es decir, en un BC se detectaban conducciones (be,bc) y no conducciones como debían ser y siempre,  ausencia entre (ce) en cualquier polaridad , pero en los BF de baja potencia una de ellas (ce) daba conducción, muy similar a lo comentado  con el Germanio, eso sí, señalar que no pasaba con todos los BF.

De nuevo agradecerle su amabilidad, buscaré con tiempo, si la encuentro,la razón teórica, quizá haya que buscarla en la diferencia en el dopaje de las zonas.

PSD. Perdón, queria  abreviar internet y salió INET...

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